Transistor MOSFET Canal-N IRF530N 100V 14A
$ 1.300 IVA incluido
Transistor MOSFET de potencia Canal-N IRF530N, capaz de manejar 100V y 14A.
- ✅ Boleta o Factura Automática incluida en todas tus compras
- ✅ Envío GRATIS a todo Chile en pedidos web desde $19.990
📃 ¿Necesitas una Cotizacion? ¿Comprar para universidades, mercado publico o compra ágil? ¡Contáctanos!.
Descripción
¿Qué es el Transistor MOSFET IRF530N?
El IRF530N es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia, específicamente de Canal-N en modo de enriquecimiento. Este componente es un pilar en la electrónica de potencia moderna, diseñado para ofrecer una conmutación extremadamente rápida y una baja resistencia en estado de conducción (RDS(on)). Su robustez y eficiencia lo convierten en la elección predilecta para una amplia gama de aplicaciones que requieren el control de altas corrientes y voltajes, como el control de motores, fuentes de alimentación conmutadas e inversores. Fabricado con tecnología avanzada de proceso, el IRF530N garantiza un rendimiento fiable y consistente, siendo capaz de manejar picos de corriente y disipar calor de manera efectiva gracias a su encapsulado estándar TO-220.
La arquitectura interna del IRF530N se basa en una estructura de celdas de alta densidad que minimiza la resistencia de conducción. El dispositivo cuenta con tres terminales: Gate (Compuerta), Drain (Drenador) y Source (Surtidor). La aplicación de un voltaje positivo entre Gate y Source crea un canal de conducción que permite el flujo de una corriente significativa desde el Drain hacia el Source. Este control por voltaje, a diferencia del control por corriente de los transistores BJT, simplifica enormemente los circuitos de excitación (drivers) y reduce el consumo de energía del circuito de control. El encapsulado TO-220 no solo facilita su montaje en placas de circuito impreso (PCB), sino que también permite la fácil adición de un disipador de calor para gestionar la disipación térmica en aplicaciones de alta potencia.
Características Técnicas
El funcionamiento del IRF530N se centra en su capacidad para actuar como un interruptor electrónico de alta velocidad y eficiencia. Cuando el voltaje Gate-Source (V_GS) supera el voltaje de umbral (V_GS(th)), el MOSFET entra en estado de conducción, presentando una resistencia muy baja (RDS(on)) de aproximadamente 0.110 ohmios. Esta baja resistencia minimiza las pérdidas de potencia por conducción (P = I² * R), lo que se traduce en una mayor eficiencia energética y menor generación de calor. Sus características de conmutación rápida, con tiempos de subida y bajada del orden de nanosegundos, lo hacen ideal para aplicaciones de Modulación por Ancho de Pulso (PWM) a altas frecuencias, permitiendo un control preciso y suave de motores o sistemas de iluminación.
Especificaciones Eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | MOSFET Canal-N |
| Voltaje Drenador-Fuente (V_DSS) | 100 V |
| Corriente de Drenador Continua (I_D) | 17 A (@ T_C = 25°C) |
| Resistencia en Estado ON (R_DS(on)) max. | 0.110 Ω (@ V_GS = 10V) |
| Voltaje Umbral de Gate (V_GS(th)) | 2.0 V a 4.0 V |
| Disipación de Potencia Total (P_D) | 79 W (@ T_C = 25°C) |
| Voltaje Gate-Fuente Máximo (V_GS) | ±20 V |
Comunicación y Pinout
El IRF530N utiliza el encapsulado estándar TO-220. Visto de frente, la distribución de pines es la siguiente:
| Pin | Función | Descripción |
|---|---|---|
| 1 | Gate (G) | Compuerta. Terminal de control que activa el transistor. |
| 2 | Drain (D) | Drenador. Terminal por donde ingresa la corriente principal. |
| 3 | Source (S) | Surtidor. Terminal por donde sale la corriente principal. |
Dimensiones y Ambiente
| Característica | Valor |
|---|---|
| Encapsulado | TO-220AB |
| Temperatura de Operación (Junction) | -55 °C a +175 °C |
| Montaje | Through Hole (THT) |
Aplicaciones
- Control de velocidad de motores DC mediante PWM.
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
- Convertidores DC-DC (Buck/Boost).
- Control de cargas de alta potencia como solenoides y relés.
- Sistemas de control de iluminación LED (Dimmers).
- Inversores de potencia.
- Amplificadores de audio de Clase D.
Preguntas Frecuentes
¿Puedo controlar el IRF530N directamente con un Arduino (5V) o ESP32 (3.3V)?
No es recomendable para un rendimiento óptimo. Aunque su voltaje de umbral (V_GS(th)) puede ser tan bajo como 2V, para alcanzar la mínima resistencia de conducción (R_DS(on)) y manejar altas corrientes eficientemente, requiere un voltaje de compuerta (V_GS) de 10V. Usar 5V lo pondrá en un estado de conducción parcial, aumentando su resistencia y generando mucho calor. Se recomienda usar un ‘MOSFET Driver’ como el TC4427 o un simple circuito con un transistor BJT para elevar el voltaje de control a 10-12V.
¿Es necesario utilizar un disipador de calor con este MOSFET?
Depende de la corriente que se vaya a conmutar. La potencia disipada se calcula como P = I² * R_DS(on). Por ejemplo, a 5A, la disipación sería 5² * 0.110Ω = 2.75W. Para corrientes superiores a 1A, es altamente recomendable usar un disipador de calor adecuado para el encapsulado TO-220 para mantener la temperatura de la unión por debajo de los 175°C y asegurar una operación fiable.
¿Qué diferencia hay entre el IRF530 y el IRF530N?
La ‘N’ en IRF530N indica una generación más nueva de la tecnología de proceso. Generalmente, la versión ‘N’ ofrece especificaciones mejoradas, como una menor resistencia R_DS(on), mayor capacidad de manejo de energía de avalancha y mejores características de conmutación. En la mayoría de los casos, el IRF530N puede ser utilizado como un reemplazo directo y superior para el IRF530.
¿Qué protección necesito al controlar una carga inductiva como un motor?
Al conmutar una carga inductiva, se generan picos de voltaje inverso (flyback) cuando la corriente se interrumpe. Aunque el IRF530N tiene un diodo de cuerpo intrínseco, para aplicaciones de conmutación rápida o de alta energía, es crucial añadir un diodo externo de ‘flyback’ (preferiblemente un diodo Schottky rápido) en antiparalelo con la carga inductiva. Esto protegerá al MOSFET de picos de voltaje que podrían dañarlo.
Mejora tu proyecto
Para sacar el máximo provecho al IRF530N, considera estos componentes complementarios:
- Disipador de Calor TO-220: Indispensable para aplicaciones que manejen corrientes superiores a 1A para evitar el sobrecalentamiento.
- Driver de MOSFET (ej. TC4427): Para asegurar una activación rápida y completa de la compuerta desde microcontroladores de 3.3V o 5V.
- Diodo Schottky (ej. 1N5822): Para proteger el transistor de los picos de voltaje generados por cargas inductivas como motores o solenoides.
- Placa PCB de Prototipado: Para realizar un montaje robusto y fiable de tu circuito de potencia.
Información adicional
| Tipo | MOSFET Canal-N |
|---|---|
| Encapsulado | TO-220 |
| Voltaje (V_DSS) | 100V |
| Corriente (I_D) | 14A |
| Resistencia (R_DS(on)) | 0.11 Ω |
Valoraciones (0)
Aún no hay opiniones
Sé el primero en compartir tu experiencia con este producto.
Politicas de compra
- La boleta o factura se genera automáticamente en cada compra, utilizando los datos que ingreses al realizar tu pedido.
- Si compra antes de las 13:30 hrs, despachamos su pedido desde origen el mismo día.
- El costo de envío se calcula automáticamente antes de finalizar el pedido, en función de las dimensiones, peso y comuna/ciudad de destino. Trabajamos con Chilexpress y Bluexpress.
- Si al finalizar el pedido selecciona envío gratis, debe considerar que se aplicarán las políticas de transporte correspondientes al servicio contratado.
- El tiempo de entrega se especifica según cada ciudad, comuna y el método de envío seleccionado. Sin perjuicio de que el servicio de envío se pueda retrasar:
Despacho a domicilio normalmente al día hábil siguiente para envíos a: Santiago centro, Huechuraba, Independencia, La Cisterna, La Reina, Las Condes, Macul, Maipú, Ñuñoa, Pedro Aguirre Cerda, Providencia, Pudahuel, Quinta Normal, Recoleta, Renca, Talca, Talcahuano, Vitacura, Conchalí, Estación Central, Concepción, Chillán, Cerro Navia, Cerrillos, Quilicura.
Para otras comunas, el tiempo de entrega se determinará según el servicio de envío (Chilexpress o Bluexpress) hacia: Valparaíso, San Bernardo, Peñalolén, Temuco, Arica, Puerto Montt, La Serena, Coquimbo, Rancagua, Calama, Iquique, Quilpué, Los Ángeles, Punta Arenas, Curicó, Osorno, Castro, Coronel, Ovalle, San Antonio, Buin, Lampa, Melipilla, Los Andes, San Felipe, La Ligua, Rengo, San Vicente de Tagua Tagua, San Fernando, Santa Cruz, Graneros, Lautaro, Loncoche, Villarrica, Lanco, Panguipulli, Río Bueno, Paillaco, Chiguayante, Hualpén, Tocopilla, Quellón, Molina, Curanilahue, Lota, Angol, Penco.
Productos relacionados
