Transistor IGBT Fgh60n60

El FGH60N60SFD es un potente transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren alta eficiencia y rendimiento. A diferencia del Mosfet, el IGBT soporta voltajes elevados, perfecto para convertidores e inversores de potencia DC/DC, DC/AC y AC/AC.

Características

• Voltaje máximo de colector-emisor: 600V.
• Capacidad de corriente: 60A.
• Encapsulado TO-247 de 3 pines para una óptima disipación de calor.
• Bajo voltaje de saturación y pérdidas de conducción para una eficiencia energética excepcional.

Usos Comunes

• Inversores solares.
• Convertidores de voltaje y potencia
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).
• Equipos de soldadura y corrección del factor de potencia (PFC).

Especificaciones

Tipo: Transistor IGBT.
Número de serie: FGH60N60SDF.
Paquete: TO-247AB-3.
Estilo de montaje: Through Hole.
Dimensiones: 15.7mm x 34.6mm.
Peso: 5g.
Máxima temperatura de trabajo: +150°C.
Mínima temperatura de trabajo: -55°C.

Recursos

Datasheet IGBT Fgh60n60
Con el FGH60N60SFD, obtén un rendimiento óptimo y eficiente en tus aplicaciones de electrónica de potencia. Su diseño robusto y características avanzadas lo convierten en una opción ideal para proyectos industriales y comerciales que requieren alta fiabilidad y capacidad de manejo de corriente.

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